1200 V SiC MOSFET重复非钳位感性开关测试的退化机制研究

为了研究1200 V SiC MOSFET在重复非钳位感性开关(Unclamped-Inductive-Switching, UIS)应力下的电学参数退化机制，基于自行搭建的UIS实验平台以及Sentaurus仿真设计工具，首先深入分析了重复UIS测试后器件静态参数与动态参数的退化；接着基于FN隧穿公式对栅极漏电流数据进行拟合，得到随着UIS测试次数增加SiC/SiO₂界面的势垒高度从2.52 eV逐渐降低到2.06 eV;最后解释了SiC MOSFET在重复UIS测试后的电流输运过程。结果表明，在重复雪崩应力的作用下，大量的正电荷注入至结型场效应管区域上方的栅极氧化层中，影响了该区域的电场分布以及耗尽层厚度，导致被测器件(Device Under Test, DUT)的导通电阻、漏源泄漏电流、电容特性等电学参数呈现出不同程度的退化，并且氧化物中的正电荷的积累也使电子隧穿通过栅介质的电流得到了抬升。