| 用于钴互连CMP抛光液的研究进展 |
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| 引用本文： | 刘江皓,牛新环,闫晗,屈明慧,罗付.用于钴互连CMP抛光液的研究进展[J].电子元件与材料,2023(2):137-143. |
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| 作者姓名： | 刘江皓 牛新环 闫晗 屈明慧 罗付 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助(2016ZX02301003-004-007)；;河北省自然科学基金(F2021202009)；;国家自然科学基金(62074049)； |
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| 摘 要： | 当集成电路技术节点进入10 nm及以下，传统的铜(Cu)互连材料面临着阻容(RC)延迟高、电子散射强等问题，钴(Co)作为制程工艺中的新材料，以其更低的电阻率、更高的硬度和更低的平均电子自由程，成为了替代Cu作为互连材料的优选金属。化学机械抛光(CMP)是去除Co布线层多余材料，实现全局平坦化的唯一技术。而抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一，其性能的好坏直接决定了晶圆的抛光效果和良品率。回顾了近年来钴互连金属材料的各种新型抛光液的国内外研究进展，讨论了不同化学添加剂对Co材料的去除速率、腐蚀抑制和表面质量的影响。同时总结了钴互连CMP抛光液面临的挑战及发展方向。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 钴 综述 互连金属 抛光液 添加剂 |
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