| 不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO2与Si3N4速率选择性的影响 |
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| 引用本文： | 张月,周建伟,王辰伟,郭峰.不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO2与Si3N4速率选择性的影响[J].电子元件与材料,2023(5):578-583. |
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| 作者姓名： | 张月 周建伟 王辰伟 郭峰 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62074049)； |
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| 摘 要： | 针对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2与Si3N4去除速率选择比难以实现的问题，研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、阴离子表面活性剂直链烷基苯磺酸(LABSA)以及非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO7)对SiO2与Si3N4去除速率以及速率选择比的影响。结果表明，CTAB对于SiO2去除速率的抑制作用过强，导致速率选择比很低；与CTAB相比，LABSA对SiO2去除速率的抑制作用减弱，但同时对Si3N4去除速率的抑制作用也变小，导致速率选择比无法满足工业生产的30∶1的要求；AEO7对SiO2去除速率的影响较小，且对Si3N4去除速率的抑制作用强于LABSA。当引入质量分数为0.05%的AEO7时，SiO2的去除速率由318.6 nm/...
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| 关 键 词： | 浅沟槽隔离 化学机械抛光 表面活性剂 速率选择比 |
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