在互补对称MOS集成电路中工艺和性能的相互关系

引言在一单片上集成象图1所示的有 P 型和 N 型沟道的 MOS 晶体管的工艺业已形成。它提供良好的电性能和稳定性。互补 MOS 电路的速度在很大程度上取决于电路复杂度、工艺技术和硅片的布局。本文将讨论目前的工艺和技术对性能的限制并且叙述新的实验工艺,此工艺虽然复杂,但改进了互补 MOS 电路的速度和功耗。