| 温补型体声波滤波器设计与制备 |
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| 引用本文： | 张智欣,陈晓阳,陈长娥,闫鑫,林树超. 温补型体声波滤波器设计与制备[J]. 压电与声光, 2022, 44(2): 242-245 |
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| 作者姓名： | 张智欣 陈晓阳 陈长娥 闫鑫 林树超 |
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| 作者单位： | 北京无限电测量研究所,北京 100854 |
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| 摘 要： | 基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器频率温度系数为(-30～-25)×10-6/℃,其电学性能受环境温度影响较大，将降低滤波器在全温工作的性能，限制其应用环境，尤其是对滤波器通带插损与矩形系数要求高的应用场合。该文在常规FBAR滤波器中引入正温度系数的SiO2材料层，通过对滤波器的层叠位置设计及加工工艺等技术的研究，研制出S波段温补型FBAR滤波器器件，其工作频率为3.1 GHz,插入损耗为2.0 dB,带外抑制不小于30 dB,频率温度系数为-0.02×10-6/℃。
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 温补层 SiO2 频率温度系数 |
Design and Fabrication of the Temperature Compensated FBAR Filter |
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| Affiliation: | Beijing Institute of Radio Measurement,Beijing 100854 ,China |
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| Keywords: | |
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