半导体桥(SCB)的研究 |
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引用本文: | 周蓉,岳素格,秦卉芊,张玉才,胡思福.半导体桥(SCB)的研究[J].半导体学报,1998,19(11):857-860. |
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作者姓名: | 周蓉 岳素格 秦卉芊 张玉才 胡思福 |
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作者单位: | 电子科技大学微电子科学与工程系 |
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摘 要: | 目前常用的点火器Ni-Cr金属桥丝(热桥丝)体积较大,点火能量高(几十毫焦),作用时间长(几毫秒),且易误触发.本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥(SCB)体积小(为热桥丝三十分之一),结构上兼有Si桥区倒圆点和Ti、Al金属导体倒圆点两大特点,其点火临界能量可降低到3~5mJ,作用时间可缩短到5μs,从而能快速产生热等离子体来引爆猛炸药.同时,SCB还具有较高的可靠性和安全性,其安全电流大于1.5A.本文分析了SCB工作原理,并研究了SCB的结构对临界能量、点火作用时间、
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关 键 词: | 半导体桥 SCB 点火器 半导体技术 |
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