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等离子源及腐蚀技术发展趋势
引用本文:Flam.,DL 莫铭.等离子源及腐蚀技术发展趋势[J].微电子学,1991,21(4):55-59.
作者姓名:Flam.  DL 莫铭
摘    要:由美国真空协会组织,在加州大学伯克利分校召开的“集成电路(IC)制造中的高密度等离子技术及其工艺”专题讨论会(AVS/Berkely会议),于去年(1990)9月结束。这次会议的各小组会集中讨论了新等离子源,主要的美国工艺设备制造厂家都

关 键 词:集成电路  等离子腐公虫  等离子源
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