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| 电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质 | |
| 引用本文： | 肖树义,张瑞峰.电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质[J].真空科学与技术学报,1984(4). |
| 作者姓名： | 肖树义 张瑞峰 |
| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所，中国科学院长春应用化学研究所 |
| 摘 要： | 用电子束蒸发技术制备出3000-5000A厚,透明导电的锢锡氧化物(ITO)薄膜。这种薄膜的薄层方块电阻是4.5-20Ω/口,在波长为700A时,透光率是80-95％。用x-射线衍射分析测定了薄膜的形貌,测算出它的颗粒度为1-3μ。通过Hall效应测定出薄膜的载流子厚度(N)是3.9×10~(-9)CM~(-3),霍耳迁移率是94cm~2V~(-1)S~(-1),电阻率(P)是4.0×10~(-4)-2×10~(-3)·cm。测得的Hall电压是负值。这说明它是一种n型半导体,与热探针法测得的结果一致。用光学方法计算出薄膜的E_g是3.4ev,该薄膜在制备半导体光伏器件中进行了试用。 |
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