| 微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜 |
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| 引用本文： | 陈金民 黄志良 刘羽 王升高. 微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜[J]. 武汉化工学院学报, 2008, 30(1): 44-47 |
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| 作者姓名： | 陈金民 黄志良 刘羽 王升高 |
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| 作者单位： | 武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室,湖北武汉430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金（2005ABA024） |
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| 摘 要： | 根据二氧化钒在68℃附近发生相变的这一特性，选用V2O3和W2O3为前驱物，通过在玻璃片上镀膜，采用微波等离子体增强法，合成了氮杂二氧化钨钒（V0.98W0.02O2-xNy）薄膜．通过XRD表征了样品的组成，用自制的仪器测量了合成样品的相变温度，结果表明：样品为氮杂二氧化钨钒（V0.98W0.02O2-xNy），通过氮掺杂能有效降低二氧化钨钒薄膜的相变温度，相变温度最低可以降至35℃．
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| 关 键 词： | 微波等离子体 氮杂V0.98W0.02O2-xNy 相变温度 薄膜 |
| 文章编号： | 1004-4736（2008）01-0044-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-19 |
| 修稿时间： | 2006-07-19 |
V0.98W0.02O2-xNy thin films synthesized by microwave plasma |
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| CHEN Jin-min , HUANG Zhi-liang , LIU Yu , WANG Sheng-gao. V0.98W0.02O2-xNy thin films synthesized by microwave plasma[J]. Journal of Wuhan Institute of Chemical Technology, 2008, 30(1): 44-47 |
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| Authors: | CHEN Jin-min HUANG Zhi-liang LIU Yu WANG Sheng-gao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave plasma nitrogen doped V0.98W0.02O2-xNy phase transition temperature thin film |
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