室温下制备非晶ZnO薄膜及其电阻开关特性研究 |
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引用本文: | 张涛,徐智谋,武兴会,刘斌昺.室温下制备非晶ZnO薄膜及其电阻开关特性研究[J].无机材料学报,2014(11):1161-1166. |
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作者姓名: | 张涛 徐智谋 武兴会 刘斌昺 |
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作者单位: | 华中科技大学光学与电子信息学院 |
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摘 要: | 室温下采用紫外固化的方法取代溶胶–凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜,XRD分析结果表明薄膜为非晶的,XPS分析结果表明薄膜的主要成分是ZnO。在深紫外固化后的薄膜表面溅射Al作为顶电极获得Al/a-ZnO/FTO结构的器件,研究深紫外照射时间对器件电阻转变性能的影响,进一步解释了深紫外固化的机制。研究表明:经过充足时间(12h)照射的器件表现出双极性电阻开关特性,阈值电压分布集中(–3.7 VVset–2.9 V,3.4 VVreset4.3 V)且符合低电压工作的要求,至少在4000 s内器件的高低阻态都没有发生明显的退化,表现出了良好的存储器特性。Al/a-Zn O/FTO器件的这种电阻转变特性可以用空间电荷限制电流传导机制解释。
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关 键 词: | 深紫外固化 电阻开关 非晶态氧化锌薄膜 |
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