MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs |
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引用本文: | 潘教青,黄柏标,张晓阳,岳金顺,秦晓燕,于永芹,尉吉勇. MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs[J]. 光电子.激光, 2003, 14(6): 590-593 |
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作者姓名: | 潘教青 黄柏标 张晓阳 岳金顺 秦晓燕 于永芹 尉吉勇 |
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作者单位: | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 2. 山东华光光电子有限公司,山东,济南,250010 |
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摘 要: | 用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。
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关 键 词: | MOCVD InGaAs/GaAs量子阱 LDs 半导体激光器 应变量子阱 中断生长 应变缓冲层 |
文章编号: | 1005-0086(2003)06-0590-04 |
修稿时间: | 2002-11-22 |
MOCVD Growth of InGaAs/GaAs Quantum Well for 1 064 nm LDs |
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Abstract: | |
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Keywords: | strain quantum well(QW) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) laser diode(LD) |
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