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第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况
引用本文:王茂森.第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):79-81.
作者姓名:王茂森
作者单位:南京电子器件研究所 210016
摘    要:<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT

关 键 词:化合物半导体  微波光电器件
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