| 退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 仲飞,刘彭义,段光凤. 退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响[J]. 液晶与显示, 2005, 20(6): 498-502 |
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| 作者姓名： | 仲飞 刘彭义 段光凤 |
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| 作者单位： | 暨南大学,物理系,广东,广州,510632 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(No.021169) |
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| 摘 要： | 为了改善有机发光器件（OLEDs）的性能，在0～600℃不同温度下对ITO透明导电玻璃进行了退火处理。SEM观察到随退火温度的升高，ITO表面粗糙度增加；四探针电阻测试结果显示，在300℃以上温度退火后ITO表面电阻率有明显增加。用退火前后的ITO玻璃作为阳极制备了OLEDs，器件结构为ITO／TPD／Alq3／Al，比较器件的电流密度-电压特性曲线测试结果表明，ITO薄膜的热处理温度对OLEDs性能有显著的影响。
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| 关 键 词： | ITO 有机发光器件 退火 表面处理 性能 |
| 文章编号： | 1007-2780(2005)06-0498-05 |
| 修稿时间： | 2005-03-05 |
Influence of Annealing Treatment on ITO Surface and OLED Performances |
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| ZHONG Fei,LIU Peng-yi,DUAN Guang-feng. Influence of Annealing Treatment on ITO Surface and OLED Performances[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2005, 20(6): 498-502 |
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| Authors: | ZHONG Fei LIU Peng-yi DUAN Guang-feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO OLED annealing surface treatment performances |
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