| 微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展 |
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| 引用本文： | 马香柏,郝跃,张进城.微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展[J].电子科技,2006(10):1-4. |
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| 作者姓名： | 马香柏 郝跃 张进城 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国防重点实验室基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaN HEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向.
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| 关 键 词： | 微波 功率 |
| 修稿时间： | 2006年2月25日 |
Progress in the Development of Microwave Power AlGaN/GaN's HEMT |
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| Ma Xiangbai,Hao Yue,Zhang Jincheng.Progress in the Development of Microwave Power AlGaN/GaN''''s HEMT[J].Electronic Science and Technology,2006(10):1-4. |
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| Authors: | Ma Xiangbai Hao Yue Zhang Jincheng |
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| Abstract: | Advantages of AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) in the application of microwave power field are reviewed. The process of microwave power AlGaN/GaN HEMT and the effects of material and structure on the device performance are described in detail. Latest progress in this field is presented. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN |
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