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| a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索 | |
| 引用本文： | 薛俊明,孙钟林,刘志钢,周伟.a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索[J].电子学报,2000,28(8):135-138. |
| 作者姓名： | 薛俊明 孙钟林 刘志钢 周伟 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子所,天津 300071;2. 中科院半导体所材料科学实验室,北京 100083 |
| 基金项目： | 中国科学院重点实验室基金;; |
| 摘 要： | 本文提出在宽带隙的a-SiCx∶H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx∶H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料. |
| 关 键 词： | 硅基合金 Er-O复合体 发光 分子轨道理论 |
| 收稿时间： | 1999-05-04 |
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