| 多晶硅三端有源矩阵的进展 |
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| 引用本文： | 禹芳. 多晶硅三端有源矩阵的进展[J]. 光电子技术, 1992, 12(2): 104-113 |
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| 作者姓名： | 禹芳 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 非晶硅材料的开关速度及驱动电流小,无法用于液晶显示的驱动集成电路。而多晶硅具有两方面的优势:一是高迁移率(10～100cm~2/V·s),可为象素提供足够大的电流以达到高速驱动;二是行扫描器以及灰度等级驱动器可在显示器的玻片上制成,这将大大地降低学引线的数目、价格和增加可靠性。
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| 关 键 词： | 多晶硅 有源矩阵 薄膜晶体管 |
Development of Polysilicon Three-Terminal Active-Matrix |
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| Yu Fang. Development of Polysilicon Three-Terminal Active-Matrix[J]. Optoelectronic Technology, 1992, 12(2): 104-113 |
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| Authors: | Yu Fang |
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| Affiliation: | Nanjing Electron Devices Institute |
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| Keywords: | polysilicon active-matrix amorphous silicon TFT |
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