ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状 |
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作者姓名: | 韩鑫 于今 |
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作者单位: | 东南大学材料科学与工程学院 江苏南京210096 |
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摘 要: | 综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
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关 键 词: | ZAO薄膜 光电特性 透明导电薄膜 射频磁控溅射 |
收稿时间: | 2006-05-11 |
修稿时间: | 2006-05-11 |
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