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| 电子束光刻的快速邻近效应校正 | |
| 引用本文： | 宋会英,张玉林,于肇贤,郝慧娟.电子束光刻的快速邻近效应校正[J].微细加工技术,2007(3):1-5,64. |
| 作者姓名： | 宋会英 张玉林 于肇贤 郝慧娟 |
| 作者单位： | 1. 中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院,山东东营,257061 2. 山东大学,控制学院,电子束研究所,济南,250061 3. 北京信息科技大学,理学院,北京,100101 |
| 摘 要： | 提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型.首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代.在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关键点产生的有效曝光剂量,将整个曝光块近似为一个大像点,以计算全局曝光窗口中的曝光图形对关键点产生的有效曝光剂量,实现了快速图形尺寸校正.在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度. |
| 关 键 词： | 邻近效应校正 局部曝光窗口 全局曝光窗口 关键点 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)03-0001-05 |
| 修稿时间： | 2007年1月8日 |
Fast Correction of Proximity Effect in Electron-beam Lithography |
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| SONG Hui-ying,ZHANG Yu-lin,YU Zhao-xian,HAO Hui-juan.Fast Correction of Proximity Effect in Electron-beam Lithography[J].Microfabrication Technology,2007(3):1-5,64. | |
| Authors: | SONG Hui-ying ZHANG Yu-lin YU Zhao-xian HAO Hui-juan |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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