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| 高应变In_xGa_(1-x)As薄膜的结晶质量及光学特性 | |
| 作者姓名： | 亢玉彬 唐吉龙 张健 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏 |
| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
| 摘 要： | 通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶In_xGa_(1-x)As薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对In_xGa_(1-x)As薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于In_xGa_(1-x)As薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了In_xGa_(1-x)As薄膜中存在应变。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |