基于忆阻器材料的人工神经突触的研究进展 |
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引用本文: | 吴婷婷.基于忆阻器材料的人工神经突触的研究进展[J].电工材料,2019(4). |
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作者姓名: | 吴婷婷 |
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作者单位: | 三峡大学电气与新能源学院 |
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摘 要: | 忆阻器是一种结构简单、功耗小和操作速度快的新兴非线性存储器,兼具记忆和逻辑运算的功能,忆阻器与生物大脑的神经突触类似,是一种极具潜力替代当前计算系统的电子材料。简述了忆阻器的基本原理与特性、忆阻器在模拟突触可塑性方面的研究现状和忆阻器材料在人工神经突触应用方面的最新研究进展,并展望了忆阻器材料在人工神经突触研究中的发展趋势。
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