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| ADI工业模拟产品性能获突破 | |
| 引用本文： | 何.ADI工业模拟产品性能获突破[J].电子产品世界,2005(1). |
| 作者姓名： | 何 |
| 摘 要： | 当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场。迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力。ADI公司的iCMOS工艺在技术进步道路上迈出了可喜的一步,按照这种iCMOS工艺制造生产的模拟IC能承受高达30V的电源电压,同时能提供突破的集成度,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。iCMOS的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发,它能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这就意味着通过对同… |
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