| 电极间距对防原子氧聚硅氧烷薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 李毅,何延春,王虎,王兰喜,曹生珠,袁璐,王江伟,李中华.电极间距对防原子氧聚硅氧烷薄膜性能的影响[J].真空与低温,2024(1):71-77. |
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| 作者姓名： | 李毅 何延春 王虎 王兰喜 曹生珠 袁璐 王江伟 李中华 |
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| 作者单位： | 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（12305289,U1937601）；;国家重点研发计划（2022YFB3806300）；;甘肃省自然科学基金（23JRRA1363）；;国防基础科研项目（JCKY 2020203 b019）； |
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| 摘 要： | 与传统制备防护薄膜的方法相比，等离子体聚合法是一种更高效、干燥和简易的制备方法，可以在各种基底上制备数百纳米厚的致密薄膜涂层。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在大面积柔性聚酰亚胺Kapton基底上制备了聚硅氧烷防原子氧薄膜。用SEM、AFM、FTIR和XPS等表征分析了电极间距对聚硅氧烷薄膜性能的影响。结果表明，减小电极间距加速了单体的解离和碳基成分的氧化。随着电极距离的减小，薄膜的沉积速度增大，薄膜从有机无机聚硅氧烷薄膜(SiOxCyHz)向无机薄膜(SiO2)转化。薄膜中高解离能Si-O键的增多，降低了原子氧的侵蚀率。研究结果为用PECVD方法制备其他有机硅功能薄膜奠定了技术基础。
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| 关 键 词： | 等离子增强化学气相沉积 六甲基二硅氧烷 电极间距 薄膜 原子氧 |
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