| GaN基p-i-n型紫外探测器钝化工艺研究 |
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| 引用本文： | 杨富城,杨帆,许金通.GaN基p-i-n型紫外探测器钝化工艺研究[J].半导体光电,2023,44(6):895-900. |
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| 作者姓名： | 杨富城 杨帆 许金通 |
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| 作者单位： | 上海理工大学 理学院, 上海 200093;中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083;中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2021YFA0715501).通信作者:许金通 E-mail:xujintong@mail.sitp.ac.cn |
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| 摘 要： | 钝化层膜系的选择及其工艺的优化对降低GaN基紫外探测器的漏电流和提升其可靠性是至关重要的。文章采用多种钝化层：等离子体增强化学气相沉积生长的Si3N4(PECVD-Si3N4)、电感耦合等离子体化学气相沉积生长的Si3N4(ICPCVD-Si3N4)和SiO2(ICPCVD-SiO2)以及等离子原子层沉积生长的Al2O3(PEALD-Al2O3),分别制备了GaN基金属-绝缘体-半导体(MIS)器件，并对MIS器件的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)特性进行了对比研究。采用PECVD-Si3N4作为钝化层的GaN基MIS器件具有较低的漏电流；在双层PECVD-Si3N4钝化层中插入PEAL...
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| 关 键 词： | GaN 漏电流 钝化 等离子原子层沉积 界面态密度 |
| 收稿时间： | 2023/8/28 0:00:00 |
GaN-based p-i-n Type UV Detector Passivation Process Study |
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| YANG Fucheng,YANG Fan,XU Jintong.GaN-based p-i-n Type UV Detector Passivation Process Study[J].Semiconductor Optoelectronics,2023,44(6):895-900. |
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| Authors: | YANG Fucheng YANG Fan XU Jintong |
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| Affiliation: | Shanghai University of Technology College of Science, Shanghai 200093, CHN;Shanghai Institute of Technology Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN;Shanghai Institute of Technology Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, CHN;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN leakage current passivation plasma enhanced atomic layer deposition interfacial density of states |
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