| 氧化铈对M型扩散阴极发射性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 卢平,沈春英,丘泰.氧化铈对M型扩散阴极发射性能影响的研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(4). |
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| 作者姓名： | 卢平 沈春英 丘泰 |
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| 作者单位： | 南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009 |
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| 摘 要： | 采用稀土CeO2与钨机械混合,制备了掺杂稀土氧化铈（CeO2）M型扩散阴极,利用扫描电镜、压汞仪等测试手段分析了阴极基体的微观结构。用水冷阳极二极管检测了阴极的发射性能。同时利用XPS对老练后阴极表面化学成分进行了分析。研究表明,掺杂稀土CeO2阴极基体孔径分布更均匀,平均孔径为2.08μm。在阴极正常工作温度1050℃下,掺杂稀土CeO2钡钨阴极的直流发射电流密度和脉冲发射电流密度分别为6.33 A·cm^-2、17.48 A·cm^-2,有效逸出功为1.86 eV,明显优于纯钨基M型扩散阴极。掺杂稀土CeO2有助于Ba的扩散,并吸附在阴极表面,使得M型阴极表面Ba3d峰明显增强。
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| 关 键 词： | 稀土 CeO2 扩散阴极 发射电流密度 |
Addition of CeO2 Impurity and Emission Characteristics of M-type Cathodes |
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