| 0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究 |
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| 引用本文： | 范雪,李平,谢小东,李辉,杨志明,丛伟林.0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究[J].固体电子学研究与进展,2011,31(1):44-47. |
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| 作者姓名： | 范雪 李平 谢小东 李辉 杨志明 丛伟林 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;成都华微电子科技有限公司,成都,610041
2. 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
3. 成都华微电子科技有限公司,成都,610041 |
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| 摘 要： | 针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究.该存储器为FPGA的配置存储器.通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验.试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特...
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| 关 键 词： | 浮栅flash存储器件 总剂量效应 γ射线 |
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