空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ，并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明，空间生长的半绝缘ＧａＡｓ单晶的全面电性能均优于常规ＩＥＣ半绝缘ＧａＡｓ单晶。