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| SiGe器件及其研究综述 | |
| 引用本文： | 孙自敏,董志伟.SiGe器件及其研究综述[J].半导体情报,1999,36(1):17-21. |
| 作者姓名： | 孙自敏 董志伟 |
| 摘 要： | 阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。 |
| 关 键 词： | SiGe器件 HBT 异质结 晶体管 锗化硅 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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