| 高跨导AlGaN/GaN HEMT器件 |
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| 引用本文： | 肖冬萍,刘键,魏珂,和致经,刘新宇,吴德馨.高跨导AlGaN/GaN HEMT器件[J].半导体学报,2003,24(9):907-910. |
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| 作者姓名： | 肖冬萍 刘键 魏珂 和致经 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室,北京100029 |
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| 摘 要： | 报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1 0 μm ,源漏间距为4 0 μm .器件的最大电流密度达到1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1 0 μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为1 8 7GHz和1 9 1GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMTs 跨导 |
High Transconductance AlGaN/GaN HEMT Growth on Sapphire Substrates |
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| Xiao Dongping,Liu Jian,Wei KE,He Zhijing,Liu Xinyu,Wu Dexin.High Transconductance AlGaN/GaN HEMT Growth on Sapphire Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(9):907-910. |
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| Authors: | Xiao Dongping Liu Jian Wei KE He Zhijing Liu Xinyu Wu Dexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN high electron mobility transistors transconductance |
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