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新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用
作者姓名:陈辰嘉 王常忠
作者单位:北京大学物理系,北京,100871
摘    要:报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射(DR)光谱技术,给出GaAs/AlGaAs多量子阱和应变InGaAs/GaAs多量子阱在室温下的DR谱实验测量结果,并与光调制反射谱(PR)实验和理论计算结果相比较.实验证明DR谱的信号比PR谱更强,可达10-2量级,两者一致并与理论计算结果符合得很好.DR谱是研究薄膜和微结构的有效方法

关 键 词:微分反射  光调制反射  半导体多量子阱
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