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纳米结构HgTe的制备方法综述与展望
引用本文:余卫平,唐平,蒋坤朋,覃爱苗.纳米结构HgTe的制备方法综述与展望[J].材料导报,2011(2):10-13.
作者姓名:余卫平  唐平  蒋坤朋  覃爱苗
摘    要:纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控,其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法(物理和化学方法),并展望了其应用潜力。

关 键 词:HGTE  纳米结构  制备  应用
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