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| 溅射电压对高功率脉冲磁控溅射Cu箔微观结构及性能的影响 | |
| 引用本文： | 余康元,何玉丹,杨波,罗江山.溅射电压对高功率脉冲磁控溅射Cu箔微观结构及性能的影响[J].真空,2023(3):1-4. |
| 作者姓名： | 余康元 何玉丹 杨波 罗江山 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（12104425）； |
| 摘 要： | 采用高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）工艺制备出铜（Cu）箔，研究了溅射电压对Cu箔微观结构和性能的影响。结果表明：在溅射电压700～950V范围内，Cu箔均呈现出明显的（111）晶面择优取向，其晶粒尺寸在27.7～36.5nm之间，相对密度在96.1%～98.5%之间，明显优于普通直流磁控溅射制备的Cu箔；随着溅射电压的增大，Cu箔由韧性逐渐向脆性转变，其电阻率逐渐降低至2.38μΩ·cm，接近纯Cu的本体电阻率。 |
| 关 键 词： | 高功率脉冲磁控溅射 Cu箔 微观织构 相对密度 电阻率 |