高性能电子枪的物理设计 |
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引用本文: | 石晓倩,刘佳辉,陈雪颖,郭方准.高性能电子枪的物理设计[J].真空,2023(3):62-66. |
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作者姓名: | 石晓倩 刘佳辉 陈雪颖 郭方准 |
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作者单位: | 大连交通大学机械工程学院 |
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摘 要: | 为测量电导率较低材料的二次电子发射系数,设计了一种能量在0~2ke V之间可调、束斑直径可调、可偏转、可脉冲的高性能电子枪。根据电子枪的性能指标对其电子发射、电子光学系统和电位关系进行物理设计,通过对控制极施加脉冲电压,实现电子束的脉冲发射。利用CST软件对电子枪建模并进行仿真分析,得到不同聚焦极电压对束斑尺寸的影响。仿真结果表明,在阴极电压为-1000V、控制极为-1005V、第一阳极为-880V时,随着聚焦电压由-400V增加到1000V,束斑直径由0.2mm增加到10mm,两者几乎成正比例关系。通过对比两种偏转组件,得出四极静电偏转器更适合在同一空间内使用,在工作距离为30mm、偏转电压为200V时,偏转灵敏度可达到34mm/k V,对应的偏转角为12.8°。
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关 键 词: | 电子枪 电子光学系统 CST仿真 二次电子 |
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