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高性能电子枪的物理设计
引用本文:石晓倩,刘佳辉,陈雪颖,郭方准.高性能电子枪的物理设计[J].真空,2023(3):62-66.
作者姓名:石晓倩  刘佳辉  陈雪颖  郭方准
作者单位:大连交通大学机械工程学院
摘    要:为测量电导率较低材料的二次电子发射系数,设计了一种能量在0~2ke V之间可调、束斑直径可调、可偏转、可脉冲的高性能电子枪。根据电子枪的性能指标对其电子发射、电子光学系统和电位关系进行物理设计,通过对控制极施加脉冲电压,实现电子束的脉冲发射。利用CST软件对电子枪建模并进行仿真分析,得到不同聚焦极电压对束斑尺寸的影响。仿真结果表明,在阴极电压为-1000V、控制极为-1005V、第一阳极为-880V时,随着聚焦电压由-400V增加到1000V,束斑直径由0.2mm增加到10mm,两者几乎成正比例关系。通过对比两种偏转组件,得出四极静电偏转器更适合在同一空间内使用,在工作距离为30mm、偏转电压为200V时,偏转灵敏度可达到34mm/k V,对应的偏转角为12.8°。

关 键 词:电子枪  电子光学系统  CST仿真  二次电子
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