| 非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能 |
| |
| 引用本文： | 任国浩,陈晓峰,薛炫萍,李中波,沈勇,陆晟.非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能[J].核电子学与探测技术,2006,26(4):385-389. |
| |
| 作者姓名： | 任国浩 陈晓峰 薛炫萍 李中波 沈勇 陆晟 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
| |
| 摘 要： | 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施.并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论.实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同.
|
| 关 键 词： | CsI(Tl)晶体 光输出 Tl离子 非均匀性 辐照硬度 |
| 文章编号： | 0258-0934(2006)04-0385-05 |
| 修稿时间： | 2005年3月23日 |
Scintillation properties of CsI(Tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition |
| |
| REN Guo-hao,CHEN Xiao-feng,XUE Xuan-ping,LI Zhong-bo,SHEN Yong,LU Sheng.Scintillation properties of CsI(Tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2006,26(4):385-389. |
| |
| Authors: | REN Guo-hao CHEN Xiao-feng XUE Xuan-ping LI Zhong-bo SHEN Yong LU Sheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CsI(Tl)crystal light yield Thallium ions non-uniformity irradiation hardness |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
