金刚石电子材料生长的研究进展 |
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引用本文: | 袁明文.金刚石电子材料生长的研究进展[J].半导体技术,2013(9):641-650,680. |
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作者姓名: | 袁明文 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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摘 要: | 简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术。重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术。目前在直径为100~200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石(UNCD)膜。此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望。
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关 键 词: | 材料生长 金刚石膜 化学汽相沉积(CVD) 超纳米结晶金刚石(UNCD) 宽带隙 表征 |
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