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| 在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中的浅杂质态 | |
| 引用本文： | 马德录,刘振鹏.在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中的浅杂质态[J].半导体学报,1986,7(2):164-173. |
| 作者姓名： | 马德录 刘振鹏 |
| 作者单位： | 辽宁大学物理系 (马德录)，辽宁大学物理系(刘振鹏) |
| 摘 要： | 本文用变分法计算了由大量等厚交替层组成的真实GaAs-Ga(1-x)Al_xAs超晶格中浅杂质的基态束缚能.计算中考虑了由于GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs层不同有效质量和介电常数以及GaAs导带非抛物性的影响.束缚能作为层厚的函数只有一个峰,与Chandhuri的预料一致.对于极薄的超晶格,束缚能趋于一稳定值.还计算了三量子阱情形的相应量并与Chaudhuri的结果作了比较,结果表明,对x=0.4的情形,束缚能主峰值的修正超过16％. |
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