| 分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究 |
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| 引用本文： | 钟战天,吴冰清,曹作萍,朱文珍,张广泽,王佑祥,陈新,张立宝,朱勤生,邢益荣. 分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究[J]. 真空科学与技术学报, 1996, 0(6) |
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| 作者姓名： | 钟战天 吴冰清 曹作萍 朱文珍 张广泽 王佑祥 陈新 张立宝 朱勤生 邢益荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083，中国科学院表面物理实验室!北京100080 |
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| 摘 要： | 利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
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| 关 键 词： | 分子束外延 δ掺杂 二次离子质谱 电化学剖面C－V方法 |
DELTA-DOPING STUDY IN MBE-GROWN GaAs |
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| Zhong Zhantian, Wu Bingqing, Cao Zuoping, Zhu Wenzhen, Zhang Guangze,Wang Youxiang,Chen Xing,Zhang Libao,Zhu Qinsheng,Xing Yirong. DELTA-DOPING STUDY IN MBE-GROWN GaAs[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1996, 0(6) |
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| Authors: | Zhong Zhantian Wu Bingqing Cao Zuoping Zhu Wenzhen Zhang Guangze Wang Youxiang Chen Xing Zhang Libao Zhu Qinsheng Xing Yirong |
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