| 氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响 |
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| 引用本文： | 庄惠照,胡丽君,薛成山,薛守斌.氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响[J].功能材料,2008,39(2):331-333. |
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| 作者姓名： | 庄惠照 胡丽君 薛成山 薛守斌 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒.
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| 关 键 词： | Ga2O3/Al膜 GaN 纳米棒 氨化 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)02-0331-03 |
| 修稿时间： | 2007年7月6日 |
Effect of different annealing temperature on the fabrication of GaN nanostructures by ammoniating the Ga2O3/Al films on Si substrates |
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| ZHUANG Hui-zhao,HU Li-jun,XUE cheng-shan,XUE Shou-bin.Effect of different annealing temperature on the fabrication of GaN nanostructures by ammoniating the Ga2O3/Al films on Si substrates[J].Journal of Functional Materials,2008,39(2):331-333. |
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| Authors: | ZHUANG Hui-zhao HU Li-jun XUE cheng-shan XUE Shou-bin |
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