| 等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度 |
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| 引用本文： | 何进,张兴,黄如,王阳元. 等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度[J]. 半导体学报, 2001, 22(3): 256-260 |
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| 作者姓名： | 何进 张兴 黄如 王阳元 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);20000365; |
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| 摘 要： | 基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式 ,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置 .理论结果显示出与以前的数值分析结果很好的一致性
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| 关 键 词： | 扩散-外延穿通P-N结 击穿电压 击穿峰值电场强度 等价掺杂转换方法 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）03-0256-05 |
| 修稿时间： | 2000-08-22 |
Equivalent Doping Transformation Method for Predicting Breakdown Voltage and Peak Field at Breakdown of Epitaxial-Diffused Punch-Through Junction |
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| HE Jin,ZHANG Xing,HUANG Ru,WANG Yang-Yuan. Equivalent Doping Transformation Method for Predicting Breakdown Voltage and Peak Field at Breakdown of Epitaxial-Diffused Punch-Through Junction[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(3): 256-260 |
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| Authors: | HE Jin ZHANG Xing HUANG Ru WANG Yang-Yuan |
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| Abstract: | Based on a new semi empirical analytical method, namely equivalent doping transformation, the breakdown voltage and the peak field of the epitaxial diffused punch through junction have been obtained. The basic principle of this method is introduced and a set of breakdown voltage and peak field plots are provided for the optimum design of the low voltage power devices. It shows that the analytical results coincide with the previous numerical simulation well. |
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| Keywords: | epitaxial diffused punch through junction breakdown voltage peak field equivalent doping transformation |
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