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| 一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计 | |
| 作者单位： | ;1.重庆邮电大学光电工程学院;2.模拟集成电路重点实验室 |
| 摘 要： | 在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。 |
| 关 键 词： | 电压基准源 低温漂 高电源抑制比 |
Design of a bandgap reference with low temperature drift and high power supply rejection ratio |
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