新型大功率小型化陶瓷宽边耦合3dB电桥设计

提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3d B宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路(HMIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3d B电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3d B电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件,设计了该P波段大功率3d B电桥。最终尺寸仅为10mm×6mm×0.8mm。经测试验证,该电桥在400MHz-480MHz范围内实现3d B紧耦合,插损(IL)<0.15d B,驻波比(VSWR)<1.3:1,该3d B电桥可承受功率超过2000W、占空比为15%的脉冲功率冲击。