|
|||||
|
|
| 异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW | |
| 引用本文： | 薛舫时,邓衍茂,张崇仁,彭正夫,张允强.异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW[J].固体电子学研究与进展,1992(4). |
| 作者姓名： | 薛舫时 邓衍茂 张崇仁 彭正夫 张允强 |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所 北京 100083 南京电子器件研究所 210016，210016，210016，210016，210016 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | <正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |