A1GaN/GaN MSM紫外探测器特性 |
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作者姓名: | 周劲 郝一龙 武国英 杨志坚 张国义 |
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作者单位: | [1]北京大学微电子所,北京,100871 [2]北京大学物理系,北京,100871 |
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摘 要: | 在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品。溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触。随着退火时间的增加,金属一半导体金属(MSM)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性。MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应。
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关 键 词: | 肖特基 紫外响应曲线 MSM 氮化镓 紫外探测器 |
修稿时间: | 2005-01-14 |
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