| 温度对3种IGBT结构通态特性的影响 |
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| 引用本文： | 冯松,高勇. 温度对3种IGBT结构通态特性的影响[J]. 电力电子技术, 2016, 0(6): 97-100. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2016.06.029 |
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| 作者姓名： | 冯松 高勇 |
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| 作者单位： | 1. 西安工程大学,理学院,陕西西安,710048;2. 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西西安, 710048 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅科研计划项目(15JK1292),西安工程大学研究生教育“质量工程”项目(15yzl10),陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)Supported by Shaanxi Provincial Higher Education Teaching Reform Project(15JK1292),Graduate Education "Quality Project" of Xi'an Polytechnic University of China(15yzll0),Shaanxi Province Ordinary University Key Disciplines Construction Projects of Special Funds(No.(2008)169) |
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| 摘 要： | 从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT(PT-IGBT),非穿通型-IGBT(NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析了温度对3种IGBT结构通态特性的影响,得出了PT-IGBT的通态压降具有负温度系数,NPT-IGBT和FS-IGBT的通态压降在不同电流下的两种温度系数及温度对FS-IGBT的通态压降影响最小等结论。
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| 关 键 词： | 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 通态特性 |
The Influence of the On-state Characteristic of Three Type IGBT Structure as the Temperature |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power device insulated gate bipolar transistor on-state characteristic |
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