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| AIGaInP发光二极管的全方位反射镜研究 | |
| 引用本文： | 高伟,邹德恕,郭伟玲,宋欣原,孙浩,沈光地.AIGaInP发光二极管的全方位反射镜研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(4). |
| 作者姓名： | 高伟 邹德恕 郭伟玲 宋欣原 孙浩 沈光地 |
| 作者单位： | 北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京100022 |
| 摘 要： | 全方位反射镜（ODR）AIGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化：采用2／4n厚的SiO2作为介质，光刻腐蚀导电孔，带胶保护，溅射AuZnAu，剥离后，再溅射300nmAu层，形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72．1％，而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63．2％。实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要，反射率提高了8．8％。 |
| 关 键 词： | 铝镓铟磷 发光二极管 全方位反射镜 |
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