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| 用减小p~+-n~+结隧穿电流的方法来改进Si/SiGe/Si HBT的基极电流 | |
| 摘 要： | 本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Sip~+-n~+结的实验结果,与过去报道的用离子注入法制作的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级。这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。 |
Reduction of p~+-n~+ Junction Tunneling Current for Base Current Improvement in Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors |
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