摘 要: | 301017专利变阻器用材料一一(雄谷)松卜 电器〕,日本专利,饰54一35310,申请: 1979.11,冲48一130340,公布:1979.11 获专利的材料成分为25一75多Cdo,75一25拓其他组元,其中包括44一80多Bao、CaO,Sro,以及19一55男B203、510:和0.0一8形CuO.301。仿专利变阻器用合金—(一下鸟)【东 芝电气〕,日本专利,掩54一17687,申请: 1972.11;恤连7一116580.公布:1979.7 厚6微米的AI膜沉积于厚0 .5毫米成分为Ni80拓Cr20拓合金极上并经适当处理,可用于加热元件等。301019可经受液氦温度多次冷却的丝电阻器 -一(H .A.naoRpaTOB),《n 0 T3》, 1980,恤1,…
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