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杂志ISSN号
硅低温双极晶体管的优化设计与制备:II结构与电特性分析
作者姓名:
郑茳 肖志雄
摘 要:
本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上,实现了结构设计和工艺选择,采用多晶硅发射极技术,研制成功了77K下高增益(HFE可达250)硅双极晶体管;采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术,获得了可与CMOS结构兼容,基区电阻较小的硅低温双极晶体管。
关 键 词:
低温器件 双极晶体管 多晶硅发射极 硅器件
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