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Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型
引用本文:李慧峰,许毓春.Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型[J].压电与声光,1995,17(2):23-25.
作者姓名:李慧峰  许毓春
作者单位:华中理工大学固体电子学系
摘    要:对ZnO压敏电阻器高价Nb掺杂的缺陷模型进行了分析,据此模型对ZnO压敏电阻器的性质进行了讨论。

关 键 词:压敏电阻器  缺陷模型  氧化锌

A Defecg Model of ZnO Varistor with Nb Dopant
Li Huifeng, Xu Yuchun,Wang Shiliang,Wang Liqiong.A Defecg Model of ZnO Varistor with Nb Dopant[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,1995,17(2):23-25.
Authors:Li Huifeng  Xu Yuchun  Wang Shiliang  Wang Liqiong
Abstract:defect model of ZnO Varistor with Nb_2O_5 dopant has been proposed.Based on this model;we discussed the electrical characteristics of ZnO varistor.
Keywords:ZnO varistor  defect model
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