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金属基电子封装材料进展
作者姓名:刘正春  王志法  姜国圣
作者单位:中南大学
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划);;
摘    要:对照几种传统的金属基电子封装材料 ,较详细地阐述了 W Cu、Mo Cu、Si C/ Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态 ,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后 ,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望 ,作者认为 ,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展

关 键 词:电子封装  复合材料  膨胀系数  热导率
文章编号:1004-244X(2001)02-0049-06
修稿时间:2000-06-02
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