硅中铂杂质能级的电子辐照效应 |
| |
引用本文: | 龚敏,游志朴.硅中铂杂质能级的电子辐照效应[J].半导体学报,1987,8(2):207-209. |
| |
作者姓名: | 龚敏 游志朴 |
| |
作者单位: | 四川大学物理系
(龚敏),四川大学物理系(游志朴) |
| |
摘 要: | 观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂硅中的两个能级不是与同一个深中心有关的.
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|